W płomieniu acetylen-podtlenek azotu skand częściowo jonizuje. Zalecany jest dodatek KNO₃ lub KCl na poziomie 2000 ppm (do wzorców, próbek i do ślepej).
Nawet niewielkie ilości siarczanów oraz fluorków bardzo silnie obniżają sygnał Sc. Również większość kationów wpływa na zmianę sygnału Sc. Zalecane jest dokładne odwzorowanie matrycy.
Lampy UltrAA oraz lampy wielopierwiastkowe dla Sc nie są produkowane.
Linia 391.2 nm znajduje się na granicy działania korekcji D2.
 

Sugerowane bufory jonizacyjne/czynniki uwalniające:

K 10000 ppm (1 %) w 2% HCl objęt. 100 ml   nr katalog.140-003-361

K 10000 ppm (1 %) w 2% HCl objęt. 250 ml   nr katalog.140-003-362

K 10000 ppm (1 %) w 2% HCl objęt. 500 ml   nr katalog.140-003-365

K 10000 ppm (1 %) w 2% HNO3 objęt. 100 ml   nr katalog.140-003-391

K 10000 ppm (1 %) w 2% HNO3 objęt. 250 ml   nr katalog.140-003-392

K 10000 ppm (1 %) w 2% HNO3 objęt. 500 ml   nr katalog.140-003-395

K 100000 ppm (10 %) w H2O objęt. 500 ml   nr katalog.5190-9420 (Agilent)

AAS/ASA - Technika płomieniowa / emisja - oznaczanie skandu

Linia emisyjna:	402 nm
Szczelina:	0.2 nm
Rodzaj płomienia:	acetylen-podtlenek azotu

 

ICP-OES - oznaczanie skandu

Linie ICP dla skandu (poszczególne linie linkują do wykresów linii sąsiadujących).

λ 361.384

nm

SBR:

120

λ 336.895

nm

SBR:

15

λ 552.682

nm

SBR:

4

λ 402.04

nm

SBR:

0.6

λ 363.075

nm

SBR:

90

λ 255.237

nm

SBR:

12

λ 441.556

nm

SBR:

3.5

λ 564.098

nm

SBR:

0.6

λ 357.253

nm

SBR:

80

λ 358.964

nm

SBR:

12

λ 335.968

nm

SBR:

3

λ 624.563

nm

SBR:

0.5

λ 364.279

nm

SBR:

60

λ 359.048

nm

SBR:

12

λ 256.321

nm

SBR:

2

λ 566.904

nm

SBR:

0.5

λ 424.683

nm

SBR:

45

λ 431.409

nm

SBR:

12

λ 565.788

nm

SBR:

1.8

λ 430.571

nm

SBR:

0.5

λ 357.635

nm

SBR:

45

λ 353.573

nm

SBR:

10

λ 503.102

nm

SBR:

1.8

λ 384.303

nm

SBR:

0.5

λ 335.373

nm

SBR:

45

λ 432.074

nm

SBR:

9

λ 254.522

nm

SBR:

1.5

λ 327.363

nm

SBR:

0.5

λ 337.215

nm

SBR:

30

λ 256.025

nm

SBR:

8

λ 255.582

nm

SBR:

1.2

λ 306.511

nm

SBR:

0.5

λ 358.094

nm

SBR:

30

λ 336.194

nm

SBR:

8

λ 391.181

nm

SBR:

1.2

λ 325.132

nm

SBR:

0.45

λ 356.77

nm

SBR:

25

λ 432.501

nm

SBR:

6

λ 467.04

nm

SBR:

1.2

λ 326.99

nm

SBR:

0.4

λ 364.531

nm

SBR:

20

λ 437.446

nm

SBR:

5

λ 523.982

nm

SBR:

0.9

λ 365.18

nm

SBR:

15

λ 336.127

nm

SBR:

5

λ 402.369

nm

SBR:

0.8

λ 355.855

nm

SBR:

15

λ 440.037

nm

SBR:

4.5

λ 390.749

nm

SBR:

0.7

Wykres dla linii ICP znajdujących się w pobliżu linii skandu 384.303 nm (okno = ± 0.54 nm).
okno: ± 0,2    0,54   2    nm

Granica wykrywalności dla linii 361.384 nm: 0.02 ppb

Noty aplikacyjne powiązane z oznaczaniem Sc techniką ICP-OES / Agilent

Tytuł	Pierwiastki Składniki	Matryca/img	Technika Przyrząd	link	rozmiar
Determination of rare earth elements in geological samples using the Agilent SVDV ICP-OES Oznaczanie metali ziem rzadkich w próbkach geologicznych techniką Agilent SVDV ICP-OES (5-2016)	Dy, Er, Eu, Gd, Ho, La, Lu, Nd, Pr, Sc, Sm, Tb, Th, Tm	próbki geologiczne	ICP 5100 SVDV		k
Simplify testing of elemental impurities in pharmaceuticals with Agilent’s certified reference materials kit ICH Q3D/USP <233> Elemental Impurities Kit Uproszczenie analiz zanieczyszczeń pierwiastkowych w farmaceutykach przy zastosowaniu zestawu certyfikowanych materiałów odniesienia ICH Q3D/USP <233> Elemental Impurities Kit (5-2017)	Hg, As, Cd, Pb, Ni, Ag, Se, V, Tl, Co, Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru, Cr, Sn, Cu, Mo, Ba, Sb, Li, Te, Sc, Ge, In, Lu, Bi	CRM (farmaceutyki)	ICP 5110		k k